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硬核技术创新加持,华虹宏力“8+12”特色工艺平台为智能时代添飞翼-智能网

2020-01-01

我国信通院数据显现,2019年1-10月我国5G手机出货量328.1万部,开展速度远超业界预期。5G商用的加快推动,让更广泛的智能年代提早到来,随之而来的是海量的芯片需求。但是,先进芯片制作工艺虽有巨资投入,却仅能满意CPU、DRAM等一部分芯片商场使用需求;像嵌入式闪存、电源、功率芯片等广泛存在的需求,则首要由华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制作有限公司为首的特征工艺芯片制作企业,根据老练工艺设备不断立异以进步芯片功用和本钱优势来满意。

近来,在我国集成电路规划业2019年会上,华虹半导体*研制总监陈华伦代表华虹宏力受邀讲演,在《持续立异,助力智能年代》的陈述中论述了华虹宏力安身8英寸产线、并将优势扩展至12英寸的“8+12”战略布局,以及经过持续立异助力智能年代高速添加的“芯”愿景。

图:华虹半导体研制总监陈华伦在ICCAD 2019上共享对工业开展的洞悉

嵌入式闪存:领跑者的三个支撑点

早在2000年头,华虹宏力已开端布局特征工艺,经过多年的研制立异和优势堆集,现已构成多个具有抢先优势的特征工艺技能渠道,全球抢先的嵌入式非易失性存储器便是其中之一。作为华虹宏力2018年榜首大营收来历,eNVM渠道首要包含智能卡芯片和MCU两大类使用。 据2018年年报泄漏,华虹宏力MCU事务包含了eFlash、OTP、MTP和EEPROM等干流技能,可完成高、中、低端MCU产品全掩盖。2018年,华虹宏力110纳米嵌入式闪存渠道的MCU新品导入逾越100个,是eNVM渠道营收的首要添加点之一。一起,进一步完善的95纳米5V SG eNVM工艺经过优化存储单元结构、IP规划以及工艺简化,具有小面积,低功耗、高性价比等优势,广受客户喜爱。陈华伦着重,该工艺渠道兼备高牢靠性和低功耗特征,一起具有光罩少等归纳竞赛优势。

华虹宏力eNVM技能渠道包含SONOS、SuperFlash自对准和自主开发NORD FLASH等三大工艺渠道,全面掩盖当时干流的180纳米到90纳米及以下技能节点,已被广泛用于SIM卡、银行卡和带金融付出功用的社保卡中。

图:华虹宏力是值得信任的安全芯片代工同伴

当下是数字经济年代,芯片的安全性和牢靠性尤为重要,不管是银行卡金融范畴,仍是触及人身安全的工业、轿车等商场。陈华伦指出,华虹宏力在安全芯片方面做了很多作业,包含金融IC卡芯片的抗光、温度或物理攻击的工艺规划,以及安全IP的牢靠性等方面,客户选用华虹宏力eNVM工艺渠道制作的金融IC卡芯片产品取得世界权威认证组织公布的CC EAL5+认证、EMVCo安全认证,以及万事达CQM认证,足以证明华虹宏力eNVM工艺渠道的高安稳、高牢靠和高安全性,是值得信任的安全芯片代工同伴。

除了智能卡和物联网等传统使用,作为嵌入式闪存芯片制作领导企业,华虹宏力一向在扩展技能使用的鸿沟。陈华伦泄漏,面向当时AI的抢手使用,华虹宏力已携手合作同伴成功研制AI芯片解决方案,联合宣告的论文将于2019年IEDM会议上正式宣告。

RF-SOI:5G年代的射频中心

5G蜂窝网络的布置,将大幅进步对RF技能的需求。比较传统的砷化镓技能,RF-SOI一起具有优秀的射频功用和本钱优势,早在4G年代就已成为开关类RF使用的干流技能。获益于长时间堆集,华虹宏力RF SOI工艺具有国内抢先的FOM及射频功用,可供给精准的PSP SOI模型确保仿真精度,便于优化射频前端模组及天线开关的规划;在干流的0.2微米和0.13微米技能节点上,均有很多成功量产经历,取得逾越97%的良率。

跟着华虹无锡12英寸产线的建成投产,华虹宏力RF SOI工艺将夯完成有根底,充分发挥12英寸更小线宽的特性,持续研制55纳米技能节点下1.2V/2.5V工艺渠道对集成Switch + LNA的支撑。华虹宏力的特征工艺渠道还包含老练的射频CMOS工艺、锗硅BiCMOS工艺等,丰厚的射频组合可灵敏地支撑客户需求,助力客户在5G年代中奏响年代中心的强音。

BCD:差异化取胜模仿芯片商场

模仿芯片广泛使用在通讯体系、消费电子、轿车以及工业操控等范畴,是IC Insights猜测中2022年前年均增速最快的芯片类型。关于模仿芯片制作而言,BCD工艺是当时使用最广泛的。陈华伦表明,为满意使用商场的多样化需求,BCD工艺正朝着高功率、高电压、高集成度三个方向开展。

华虹宏力模仿芯片工艺的电压掩盖规模很广,从5V至700V,工艺节点从0.5微米至90纳米。在BCD技能方面,华虹宏力可供给全系列BCD/CDMOS工艺,在差异化的低压BCD技能方面更是独具特征。

2018年,华虹宏力成功量产第二代0.18微米5V/40V BCD,技能功用到达业界先进水平,具有导通电阻低、高压品种全、光刻层数少等优势,已完成电机驱动、快充、DC-DC转换器等多种芯片量产。结合抢先的嵌入式闪存技能,华虹宏力还成功将BCD和FLASH进行有机的结合,供给110纳米BCD + eFlash的解决方案,未来最高操作电压将进步到60V-100V,适用于电池办理体系,契合轿车电子的规划要求,为当下需求火急的快充、智能化电源办理等供给更优的挑选,满意商场日益添加的复合式功用需求。

功率器材:以点带面加快奔驰

功率半导体包含MOSFET、IGBT等,在开关电源、智能电网、新能源轿车中都是大抢手。华虹宏力深耕功率半导体多年,是全球榜首家功率器材的8英寸纯晶圆代工厂,早在2002年已开端功率半导体的创“芯”路;一起,华虹宏力仍是业界首个具有深沟槽超级结及场截止型IGBT工艺渠道的8英寸代工厂。

多年厚积薄发,华虹宏力已在高端功率器材使用商场占有重要位置。比方,在对安全、牢靠性要求苛刻的轿车电子商场,华虹宏力代工的MOSFET已使用于轿车的油泵、AC/DC转换器、车身安稳等体系;在新能源轿车中心器材逆变器中,具有高端反面加工技能的华虹宏力的高品质IGBT已取得很多使用。

图:华虹宏力长时间重视功率器材技能开展

超级结MOSFET适用于200V到900V电压段,其导通电阻更小、功率更高、散热相对低,在要求苛刻的开关电源等产品中有很多使用。

华虹宏力深沟槽超级结工艺已开展至第三代,其流程紧凑,且成功开宣布沟槽栅的新式结构,有效地下降了断电阻,进一步缩小了元胞面积,技能参数达业界一流水平,可供给导通电阻更低、芯片面积更小、开关速度更快和开关损耗更低的技能解决方案。

IGBT是由BJT和MOS组成的复合型功率半导体器材,因为其可以进步用电功率和质量,使用潜力很大,在新能源轿车、轨道交通、电力传输中不可或缺。

华虹宏力具有反面薄片、反面高能离子注入、反面激光退火以及反面金属化等一整套完好的FS IGBT的反面加工处理才能,是国内为数不多可用8英寸晶圆产线为客户供给高品质IGBT代工服务的厂商之一,可助力客户产品比肩业界干流的世界IDM产品,在商场竞赛中取得更大优势。

硬核立异:奏响“逾越摩尔”年代最强音

作为特征工艺领军企业,华虹宏力一向将立异视为开展动力,经过多年研制立异和持续堆集,成为首个跻身“我国企业创造专利授权量前十”的集成电路企业,到现在已累计取得我国/美国创造授权专利逾越3400件。

根据“8+12”特征工艺渠道,华虹宏力将经过供给足够的产能及持续的技能立异才能,持续深耕智能卡、电源办理、功率半导体和特征RF等使用商场,满意5G、物联网、工业及轿车商场功耗更低、尺度更小、本钱更优的需求应战,为智能年代注入立异开展的“芯”动力,助力未来日子更夸姣。

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